Casa Prodottin type sic epitaxial wafer produttore online

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La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

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n type sic epitaxial wafer produzione online

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wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

2022-10-09 16:56:20

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

2023-02-17 15:11:59

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

2023-02-17 15:51:34

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
Contatto

2023-02-17 15:19:25

Sic tipo substrato di N
Contatto

2022-10-09 16:57:15

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

2022-10-24 10:23:04

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

2022-10-24 10:26:17

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

2022-10-24 10:21:10

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:22:34

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
Contatto

2023-03-22 16:09:10

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GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

GaAs Epi Wafer

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wafer sic epitassiale 6inch
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47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo