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Casa ProdottiCristallo del carburo di silicio

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

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JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

Grande immagine :  JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

Dettagli:
Numero di modello: JDZJ01-001-004
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionato in camera bianca in contenitore singolo seme
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Contatto

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

descrizione
Politipo: 4h Diametro: 150,0 mm ± 0,5 mm
Tipo del trasportatore: N-TYPE resistività: 0.015~0.028ohm.cm
Orientamento: 4,0°±0,2° Orientamento piano primario: {10-10} ±5.0°
Lunghezza piatta primaria: 47.5mm±2.5mm Orientamento piano secondario: Si-fronte: 90°cw.from flat±5° primario
Evidenziare:

Cristallo di lingotti di SiC di grado P

,

6 ̊ SiC Ingot Crystal

Cristallo lingotto SiC 6" Pgrade

 

Carburo di silicio, estremamente duro, composto cristallino prodotto sinteticamente di silicio e carbonio.La sua formula chimica è SiC.Dalla fine del XIX secolo il carburo di silicio è stato un materiale importante per carte abrasive, mole e utensili da taglio.

 

Il SiC può essere utilizzato anche come elemento riscaldante elettrico grazie alla sua elevata conducibilità elettrica, buona resistenza all'ossidazione ed elevata resistenza agli shock termici.

 

Specifiche del lingotto SiC da 6 pollici
Grado Grado di produzione Grado fittizio
Politipo 4H
Diametro 150,0 mm ± 0,5 mm
Tipo di corriere Tipo N
Resistività 0,015~0,028ohm.cm
Orientamento 4,0°±0,2°
Orientamento piatto primario {10-10}±5,0°
Lunghezza piatta primaria 47,5 mm ± 2,5 mm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità ≤1mm in radiale ≤3mm in radiale
Piastre esagonali con luce ad alta intensità Dimensioni＜1mm, area cumulativa＜1% Area cumulativa <5%
Aree Polytype da luce ad alta intensità Nessuno area ≤5%.
Densità del microtubo È un test distruttivo.In caso di disaccordo, i campioni per il nuovo test del fornitore devono essere forniti dal cliente. È un test distruttivo.In caso di disaccordo, i campioni per il nuovo test del fornitore devono essere forniti dal cliente.
Chip di bordo ≤2 con lunghezza e larghezza massima 1 mm ≤3 con lunghezza e larghezza massima 3 mm

 

 

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Prodotto Tag:

Grado di cristallo del carburo di silicio P,

Carburo di silicio 4H di cristallo,

Tipo di N sic di cristallo

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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