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silicon carbide crystal 4h produzione online

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cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
Contatto

2022-10-09 10:12:00

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

2022-09-27 17:35:24

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

2022-09-27 17:01:26

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

2022-09-27 17:01:05

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

2022-09-27 17:01:16

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

2022-10-24 10:23:04

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:22:34

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

2022-09-27 17:01:35

Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Contatto

2024-10-29 11:49:58

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
Contatto

2022-10-24 10:21:46

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo