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Casa ProdottiCristallo del carburo di silicio

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

Certificazione
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Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

Grande immagine :  Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

Dettagli:
Numero di modello: JDZJ01-001-001
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionato in camera bianca in contenitore singolo seme
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

descrizione
Tipo del trasportatore: N-TYPE resistività: 0.015~0.028ohm.cm
Orientamento: 4,0°±0,2° Orientamento piano primario: {10-10} ±5.0°
Lunghezza piatta primaria: 32,5 mm ± 2,0 mm Orientamento piano secondario: Si-fronte: 90°cw.from flat±5° primario
Evidenziare:

0.015ohm.cm Cristallo di carburo di silicio

,

cristallo sic tipo N

,

cristallo di carburo di silicio 32

0,015~0,028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientamento 4,0°±0,2°

SiC Seed Crystal 4" PGrado

 

SiC CRYSTAL è un grano o una polvere di carburo di silicio ad altissima purezza, prodotto appositamente per ottenere livelli estremamente bassi di impurità.Viene utilizzato per misurare le impurità all'interno del cristallo SiC perché, a differenza del carburo di silicio verde o nero, i livelli di impurità sono così bassi che le tecniche di misurazione tradizionali non ne rilevano la presenza.SiC Crystal è disponibile in diversi livelli di purezza e in dimensioni personalizzate in base alle esigenze.

 

 

Specifiche del lingotto SiC da 6 pollici
Grado Grado di produzione Grado fittizio
Politipo 4H
Diametro 100,0 mm ± 0,5 mm
Tipo di corriere Tipo N
Resistività 0,015~0,028ohm.cm
Orientamento 4,0°±0,2°
Orientamento piatto primario {10-10}±5,0°
Lunghezza piatta primaria 32,5 mm ± 2,0 mm
Orientamento piatto secondario Si-face: 90°cw.from piatto primario±5°
Lunghezza piatta secondaria 18,0 mm ± 2,0 mm
Crepe sui bordi dovute a luce ad alta intensità ≤1mm in radiale ≤3mm in radiale
Piastre esagonali con luce ad alta intensità Dimensioni<1mm, area cumulativa<1% Area cumulativa <5%
Aree Polytype da luce ad alta intensità Nessuno area ≤5%.
Densità del microtubo È un test distruttivo.In caso di disaccordo, i campioni per il nuovo test del fornitore devono essere forniti dal cliente.

È un test distruttivo.In caso di disaccordo, i campioni per il nuovo test del fornitore devono essere forniti dal cliente.

 

Chip di bordo ≤1 con lunghezza e larghezza massima 1 mm ≤3 con lunghezza e larghezza massima 3 mm

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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