Richiedere un preventivo |
Casa Prodottin type sic crystal produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

n type sic crystal produzione online

(26)
comprare Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N in linea fabbricante

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:01:16
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

Leggi di più
2022-10-09 16:56:20
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
comprare Sic cristallo 4&quot; del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D in linea fabbricante

Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D
Contatto

Leggi di più
2025-04-04 22:43:20
comprare 4&quot; resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea fabbricante

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:35:24
comprare Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm in linea fabbricante

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contatto

Leggi di più
2025-04-04 22:43:25
comprare cristallo 4&quot; del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:01:26
comprare JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6&quot; Grado P in linea fabbricante

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
Contatto

Leggi di più
2025-04-04 22:42:33
comprare Cristallo piano primario 4&quot; del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea fabbricante

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:01:05
comprare Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario in linea fabbricante

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:26:17
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon Qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.