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n type sic crystal produzione online

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Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

2022-09-27 17:01:16

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

2022-10-09 16:56:20

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

2022-10-24 10:26:17

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

2022-10-24 10:23:04

Sic tipo substrato di N
Contatto

2022-10-09 16:57:15

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

2022-10-24 10:21:10

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:22:34

Substrato SiC 350um 4H
Contatto

2022-10-09 16:57:57

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

2022-09-27 17:01:35

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contatto

2022-10-24 10:38:02

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo