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Casa ProdottiSapphire Wafer

C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

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C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer
C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

Grande immagine :  C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

Dettagli:
Numero di modello: JDCD08-001-006
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T
Contatto

C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

descrizione
Materiale: Elevata purezza Al2O3 (>99.995%) Orientamento di superficie: C-aereo (0001)
Spessore: 625 ±15μm Orientamento piano: Un-aereo (11-20)
Diametro: 150.00±0.1mm Qualità di superficie anteriore: Lo specchio ha lucidato, EPI-pronto
Evidenziare:

Wafer da 6 pollici di zaffiro.

C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch

Gli zaffiri sono in secondo luogo soltanto ai diamanti nella durevolezza
Il diamante è l'elemento naturale più durevole su terra e sulla truppa come i 10 su 10 sulla scala di Mohs di durezza minerale. Gli zaffiri sono inoltre molto durevoli e rigogliosi come i 9 su 10 sulla scala di Mohs.

Quasi tutti gli zaffiri e gioielli dello zaffiro dalle fonti online ed in vendite al dettaglio tradizionali sono descritti come «naturali».

substrati di elevata purezza Al2O3 dell'C-aereo 6inch

Parametri

 Specificazione
Unità Obiettivo Tolleranza
Materiale Elevata purezza Al2O3 (>99.995%)
Diametro millimetro 150,00 ±0.1
Spessore μm

1000

 ±15
Orientamento di superficie C-aereo (0001)
- Fuori dall'angolo verso l'M.-asse grado 0,20 ±0.1
- Fuori dall'angolo verso l'Un-asse grado 0,00 ±0.10
Orientamento piano Un-aereo (11-20)
- Angolo di derivazione piano grado 0,0 ±0.2
Lunghezza piana millimetro 47,5 ±1
Rugosità di superficie anteriore (Ra) nanometro ≤0.2
Rugosità di superficie posteriore μm 0.8~1.2μm
Qualità di superficie anteriore Lo specchio ha lucidato, EPI-pronto
Bordo del wafer T tipo o R tipo
R-aereo R9
TTV μm ≤10
LTV (5x5mm) μm ≤2 (75%<1.8μm)
Arco μm -0.5~-20
Filo di ordito μm ≤25
Segno del laser Come cliente richiesto

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Sapphire Substrate Mirror Polished,

Sapphire Wafer EPI pronta,

substrato principale R9 dello zaffiro

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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