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Substrati diamantati CVD
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Sistema di ricottura termica rapida
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Certificazione

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

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polished sapphire wafers produzione online

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Sapphire Wafer lucidata specchio EPI Front Surface pronto
Contatto

2023-02-17 10:45:27

1inch nitruro di alluminio AlN singolo Crystal Sapphire Wafer 400um
Contatto

2022-09-27 15:37:46

Piano C AIN su wafer in zaffiro lucidato a lato singolo o doppio
Contatto

2022-09-27 15:39:11

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contatto

2023-02-17 10:18:27

Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
Contatto

2022-09-27 15:43:34

I semi che isolano AIN Sapphire Wafer Sapphire Single o il doppio lato hanno lucidato
Contatto

2023-02-17 16:56:20

Wafer di nitruro di alluminio a film spesso 2 pollici AIN su wafer di zaffiro Al Face
Contatto

2022-09-27 15:40:34

Film spesso 2um 3um AIN su zaffiro wafer 2 pollici semi isolante
Contatto

2022-09-27 15:35:22

zaffiro piano del wafer di verde LED di 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimetri
Contatto

2022-10-08 17:16:14

Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto
Contatto

2023-02-17 17:58:08

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GaN Epitaxial Wafer

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GaAs Epi Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo