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Dettagli:
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| Crystal Form: | 4h | Nome di prodotto: | Wafer sic epitassiale |
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| Diametro: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | Orientamento di superficie: | Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5 |
| Lunghezza piana primaria: | ± 1.5mm di 47.5mm | Lunghezza piana secondaria: | Nessun piano secondario |
| Misorientation ortogonale: | ±5.0° | Spessore a: | 350.0μm± 25.0μm |
| Evidenziare: | Nessun substrato SiC piatto secondario,wafer semiconduttore da 47,5 mm |
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Substrato SiC da 2 pollici 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm Nessun piano secondario
JDCD03-001-001 Substrato SiC da 2 pollici Livello P 4H-N/SI<0001>260μm±25μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Panoramica
La nostra incessante attenzione al miglioramento continuo della qualità dei materiali e all'aumento dei diametri dei substrati avvantaggia direttamente i nostri clienti e partner migliorando i loro rendimenti, riducendo i costi e consentendo loro di produrre nuove generazioni di dispositivi in grado di offrire prestazioni ancora più elevate.
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Proprietà |
Grado PMOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Forma di cristallo | 4H | ||
| Politipo | Nessuno Consentito | Area≤5% | |
| (DMP)UN | ≤0,2/cm2 | ≤0,5/cm2 | ≤5/cm2 |
| Piastre esagonali | Nessuno Consentito | Area≤5% | |
| Policristallo esagonale | Nessuno Consentito | ||
| InclusioniUN | Area≤0,05% | Area≤0,05% | N / A |
| Resistività | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (DAP)UN | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)UN | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (DBP)UN | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)UN | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Errore di impilamento | Area ≤0,5%. | Area ≤1%. | N / A |
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Contaminazione da metalli superficiali |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diametro | 150,0mm+0mm/-0,2mm | ||
| Orientamento della superficie | Fuori asse:4° verso <11-20>±0,5 ° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Lunghezza piatta secondaria | Nessun appartamento secondario | ||
| Orientamento piatto primario | Parallelo a<11-20>±1° | ||
| Orientamento piatto secondario | N / A | ||
| Disorientamento ortogonale | ±5,0° | ||
| Finitura superficiale | C-Face: smalto ottico, Si-Face: CMP | ||
| Bordo del wafer | Smussatura | ||
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Ruvidezza della superficie (10μm × 10μm) |
Faccia Si Ra≤0,20 nm ； Faccia C Ra≤0,50 nm | ||
| SpessoreUN | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV(10mm×10mm)UN | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)UN | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARCO)UN | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Ordito)UN | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Schegge/Rientri | Nessuno consentito ≥0,5 mm di larghezza e profondità | Qty.2 ≤1.0 mm Larghezza e Profondità | |
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GraffiUN (Si faccia, CS8520) |
≤5 e lunghezza cumulativa≤0,5 × diametro wafer |
≤5 e lunghezza cumulativa≤1,5 × wafer Diametro |
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| TUA(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Crepe | Nessuno Consentito | ||
| Contaminazione | Nessuno Consentito | ||
| Proprietà | Grado PMOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Esclusione del bordo | 3 mm | ||
Nota: l'esclusione del bordo di 3 mm viene utilizzata per gli articoli contrassegnati conUN.
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
FAQ
D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
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Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
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