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Casa ProdottiSapphire Wafer

Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto

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Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto

Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto
High Purity Al2O3＞99.995% Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto

Grande immagine :  Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto

Dettagli:
Numero di modello: JDCD08-001-001
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T
Contatto

Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto

descrizione
Orientamento di superficie: Un-aereo (11-20) Materiale: ₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore: 430 ±15μm R-aereo: R9
Diametro: 50,8 ±0.10 Bordo del wafer: R tipo
Evidenziare:

Sapphire Wafer EPI Ready

,

substrato di zaffiro led R9

,

wafer di zaffiro A Plane

Elevata purezza Al2O3>99,995% Zaffiro Substrato Wafer lucidato a specchio EPI-Ready

JDCD08-001-001 Wafer di substrato in zaffiro diametro 50 mm, spessore 430 μm, orientamento del cristallo C/M0.2, DI lunghezza (mm) 16 chip LED, materiale del substrato


Substrato in zaffiro Il substrato in zaffiro è un materiale per finestre di qualità superiore per molte applicazioni IR da 3 µm a 5 µm, in quanto offre resistenza alle alte temperature, agli shock termici, all'erosione di acqua e sabbia, piccole perdite dielettriche, eccellente isolamento elettrico, con importanti caratteristiche meccaniche e chimiche e graffiare.Abbiamo substrati in zaffiro R-Plane C-Plane.Substrati in zaffiro piano C utilizzati per lo sviluppo di composti III-V e II-VI come GaN per LED blu e diodi laser.

 

Parametri

 Specifica
Unità Bersaglio Tolleranza
Materiale Elevata purezza Al2O3(>99,995%)
Diametro mm 50.8 ±0,10
Spessore micron 430 ±15
Orientamento della superficie Piano C(0001)
-Off Angolo verso l'asse M grado 0,20 ±0,10
-Off Angolo verso l'asse A grado .00 ±0,10
Orientamento piatto A-aereo (11-20)
- Angolo di offset piatto grado 0.0 ±0,2
Lunghezza piatta mm 16.0 ±1
Piano R R9
Superficie frontale Rugosità (Ra) nm ＜0.3
Rugosità della superficie posteriore micron 0,8~1,2μm
Superficie frontale Qualità Lucidato a specchio, pronto per l'EPI
Bordo in ostia tipo R
Ampiezza dello smusso micron 80-160
Radiante angolo incluso tra bordo piatto e bordo arrotondato mm R=9
TTV micron ≤5
LTV(5x5mm) micron ≤1,5
Arco micron 0~-5
Ordito micron ≤10
Marchio laser   Come richiesto dal cliente

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Prodotto Tag:

Sapphire Substrate Mirror Polished,

Sapphire Wafer EPI pronta,

substrato principale R9 dello zaffiro

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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