Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

Name: Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-003
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificazione

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Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

Grande immagine : Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDCD06-001-003

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Tempi di consegna:	3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	50000pcs/month

Contatto

Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

descrizione

Tipo/dopant:	Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb	Spessore (μm):	279
Tolleranza di spessore:	± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità	resistività:	0.001-100 ohm-cm
Di superficie finito:	P/E, P/P, E/E, G/G	TTV (μm):	<10 μm standard, μm massimo Capabilities<5
Arco/filo di ordito:	<40 μm standard, μm massimo Capabilities<20	Particella:	<10>
Evidenziare:	Tipo lastra di silicio di N , wafer a 3 pollici 279um , Lastra di silicio a 3 pollici di Phos

Resistività 0.001-100 spessori della lastra di silicio ohm-cm (μm) 279/380/525/625/675/725/775

dispositivi a 2 pollici della lastra di silicio MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti

Panoramica

Dopo questa procedura di pulizia, i wafer sono trasferiti nelle cellule dell'anodizzazione per il processo dell'anodizzazione. Le cellule dell'anodizzazione hanno un elettrolito, un controelettrodo e un elettrodo del silicio o le lastre di silicio, i cavi e le fonti di CC.

Specificazione

lastra di silicio
Diametro	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado	Principale
Metodo di crescita	La CZ
Orientamento	<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopant	Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Spessore (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Tolleranza di spessore	± standard 25μm, ± massimo 5μm di Capabilit/SIC
Resistività	0.001-100 ohm-cm
Di superficie finito	P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm)	Norma <10>
Arco/filo di ordito	Norma <40>
Particella	<10>

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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Metodo di crescita: La CZ

Diametro: 2"

Grado: Principale

Orientamento: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio

Diametro: 2"

Grado: Principale

Metodo di crescita: La CZ

resistività: 0.001-100 ohm-cm

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Grado: Principale

Metodo di crescita: La CZ

Tipo/dopant: Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

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