Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Name: Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Wafer sic epitassiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrati diamantati CVD
(15)

Sistema di ricottura termica rapida
(2)

Tester per sensori ad effetto Hall
(3)

Wafer del nitruro di alluminio
(21)

Chip del diodo laser
(10)

Cristallo del carburo di silicio
(12)

Wafer Ga2O3
(13)

lastra di silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modellata
(10)

Supporto del wafer del
(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer
(5)

Certificazione

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

Sono ora online in chat

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Grande immagine : Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDCD06-001-002

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Tempi di consegna:	3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	50000pcs/month

Contatto

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

descrizione

Diametro:	2"	Orientamento:	<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopant:	Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb	Spessore (μm):	279
Tolleranza di spessore:	± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità	resistività:	0.001-100 ohm-cm
Di superficie finito:	P/E, P/P, E/E, G/G	TTV (μm):	<10 μm standard, μm massimo Capabilities<5
Arco/filo di ordito:	<40 μm standard, μm massimo Capabilities<20	Particella:	<10>
Evidenziare:	Wafer di silicio semiconduttore da 2 '' , wafer epi di silicio di tipo N , wafer di silicio n drogato 279um

Spessore wafer di silicio da 2 pollici (μm) 279 Resistività 0,001-100 Ohm-cm

Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 2 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti

Panoramica

Pochi di noi hanno la possibilità di incontrare un vero wafer di silicio nella vita quotidiana.Questo disco ultrapiatto è lucidato su una superficie simile a uno specchio e reso il più possibile privo di minuscole irregolarità superficiali, rendendolo l'oggetto più piatto del mondo.È anche ultra pulito, praticamente privo di microparticelle e altre impurità.Queste qualità sono necessarie affinché possa essere utilizzato come materiale di substrato dei semiconduttori all'avanguardia di oggi.

Specifica

wafer di silicio
Diametro	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado	Primo
Crescita Metodo	CZ
Orientamento	<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Drogante	Tipo P/Boro,Tipo N/Fos,Tipo N/As, Tipo N/Sb
Spessore (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Spessore Tolleranza	Standard ± 25μm, capacità massima ± 5μm
Resistività	0,001-100 ohm-cm
Superficie Finito	P/E,P/P,MI/MI,SOL/SOL
TTV(μm)	Standard <10 μm, capacità massime <5 μm
Arco/Ordito	Standard <40 μm, capacità massime <20 μm
Particella	<10@0.5μm;<10@0.3μm;<10@0.2μm;

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Altri prodotti

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro

Diametro: 2"

Grado: Principale

Metodo di crescita: La CZ

Orientamento: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito

Metodo di crescita: La CZ

Diametro: 2"

Grado: Principale

Orientamento: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio

Diametro: 2"

Grado: Principale

Metodo di crescita: La CZ

resistività: 0.001-100 ohm-cm

Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um

Grado: Principale

Metodo di crescita: La CZ

Tipo/dopant: Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Spessore (μm): 279

Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

Tipo/dopant: Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Spessore (μm): 279

Tolleranza di spessore: ± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità

resistività: 0.001-100 ohm-cm

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

GaAs Epi Wafer

Substrati diamantati CVD

Sistema di ricottura termica rapida

Tester per sensori ad effetto Hall

Wafer del nitruro di alluminio

Chip del diodo laser

Cristallo del carburo di silicio

Wafer Ga2O3

lastra di silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modellata

Supporto del wafer del

Tagliatrice a cubetti per wafer

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Wafer di silicio semiconduttore da 2 ''

wafer epi di silicio di tipo N

wafer di silicio n drogato 279um

Tipo wafer di N di epi del silicio,

tipo substrato di p di silicio,

Lastra di silicio della CZ

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro

Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio

Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um

Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo