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GaN Epitaxial Wafer

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2
Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N

Wafer sic epitassiale

2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio
2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio
GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si

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Dettagli di contatto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo