• Italian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Richiedere un preventivo |
Casa

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Mappa del sito

Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat
società
Circa noi:
Prodotti

GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

Wafer del nitruro di alluminio

lastra di silicio

Sapphire Wafer

Page 5 of 17|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.