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Casa Prodotti0 8mm single crystal substrate produttore online
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0 8mm single crystal substrate produzione online

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comprare wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm in linea fabbricante

wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm
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2022-09-27 16:57:06
comprare Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore in linea fabbricante

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore
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2022-10-09 10:30:43
comprare 10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante in linea fabbricante

10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante
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2022-09-27 16:57:32
comprare SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm in linea fabbricante

SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30
comprare 375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati in linea fabbricante

375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati
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2024-11-18 19:17:19
comprare isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm in linea fabbricante

isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm
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2022-10-08 17:22:16
comprare 1um al lato singolo o doppio del substrato del nitruro di alluminio 5um ha lucidato in linea fabbricante

1um al lato singolo o doppio del substrato del nitruro di alluminio 5um ha lucidato
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2022-09-27 15:36:51
comprare Substrato SiC da 2 pollici di livello P per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde in linea fabbricante

Substrato SiC da 2 pollici di livello P per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
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2024-10-29 11:49:58
comprare Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa in linea fabbricante

Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa
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2024-10-29 11:49:58
comprare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea fabbricante

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
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2022-10-08 17:12:14
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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