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comprare Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI in linea fabbricante

Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI
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2022-10-08 15:51:24
comprare 5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo in linea fabbricante

5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo
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2024-10-29 11:49:57
comprare Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato
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2024-10-29 11:49:57
comprare spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m. in linea fabbricante

spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.
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2024-11-18 19:17:19
comprare La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N in linea fabbricante

La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N
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2022-10-08 16:00:57
comprare 12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped in linea fabbricante

12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped
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2024-10-29 11:49:58
comprare Substrato di monocristallo di GaN in linea fabbricante

Substrato di monocristallo di GaN
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2023-02-17 17:55:56
comprare L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N in linea fabbricante

L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N
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2024-10-29 11:49:57
comprare Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm in linea fabbricante

Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm
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2024-10-29 11:49:57
comprare Wafer epitassiale GaN non drogato in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN non drogato
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2022-10-09 17:04:59
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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