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free standing gan substrates produzione online

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Acquistare Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati in linea produttore

Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati
Contatto

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Leggi di più
2023-02-17 10:52:50
Acquistare 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm in linea produttore

10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Contatto

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:50
Acquistare Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti in linea produttore

Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti
Contatto

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:28
Acquistare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea produttore

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contatto

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Leggi di più
2023-02-17 10:57:06
Acquistare Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici in linea produttore

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
Contatto

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Leggi di più
2024-10-14 17:06:30
Acquistare M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um in linea produttore

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contatto

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Leggi di più
2022-10-08 17:04:46
Acquistare 10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato in linea produttore

10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato
Contatto

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:50
Acquistare TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W in linea produttore

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W
Contatto

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face in linea produttore

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face
Contatto

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm in linea produttore

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
Contatto

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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