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gallium nitride semiconductor wafer produzione online

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comprare Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm in linea fabbricante

Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37
comprare laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED in linea fabbricante

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47
comprare 2 pollici di LED verde GaN su wafer di silicio Dimensione 520±10nm in linea fabbricante

2 pollici di LED verde GaN su wafer di silicio Dimensione 520±10nm
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2025-04-27 11:43:50
comprare Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact in linea fabbricante

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2025-04-04 22:43:39
comprare Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici in linea fabbricante

Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici
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2023-02-17 14:34:04
comprare Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante in linea fabbricante

Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante
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2022-10-09 10:34:19
comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
comprare Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in linea fabbricante

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
comprare 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer in linea fabbricante

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51
comprare JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola in linea fabbricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola
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2025-04-27 11:43:51
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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