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p type silicon substrate produzione online

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Acquistare SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um in linea produttore

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
Contatto

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Leggi di più
2022-10-08 16:41:01
Acquistare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea produttore

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Leggi di più
2022-10-24 10:21:10
Acquistare SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm in linea produttore

SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm
Contatto

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Leggi di più
2024-10-14 17:06:30
Acquistare SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2 in linea produttore

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2
Contatto

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N in linea produttore

La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N
Contatto

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Leggi di più
2022-10-08 16:00:57
Acquistare 0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro in linea produttore

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro
Contatto

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Leggi di più
2022-09-27 16:52:32
Acquistare Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio in linea produttore

Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio
Contatto

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Leggi di più
2023-02-17 12:43:17
Acquistare Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um in linea produttore

Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um
Contatto

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Leggi di più
2022-09-27 16:50:52
Acquistare Sic tipo substrato di N in linea produttore

Sic tipo substrato di N
Contatto

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Leggi di più
2022-10-09 16:57:15
Acquistare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea produttore

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contatto

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Leggi di più
2023-02-17 10:57:06
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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