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p type silicon substrate produzione online

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Acquistare 2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio in linea produttore

2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio
Contatto

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leggi di più
2024-12-06 17:35:32
Acquistare A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready in linea produttore

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contatto

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Leggi di più
2023-02-17 10:18:27
Acquistare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea produttore

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
Contatto

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Leggi di più
2022-10-08 17:12:14
Acquistare isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm in linea produttore

isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm
Contatto

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Leggi di più
2022-10-08 17:22:16
Acquistare laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED in linea produttore

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
Contatto

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:47
Acquistare lo specchio di 50mm Sapphire Wafer R9 ha lucidato il tipo pronto del bordo R del wafer di EPI in linea produttore

lo specchio di 50mm Sapphire Wafer R9 ha lucidato il tipo pronto del bordo R del wafer di EPI
Contatto

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Leggi di più
2023-02-17 10:17:17
Acquistare wafer sic epitassiale 6inch in linea produttore

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Leggi di più
2022-10-09 16:56:20
Acquistare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea produttore

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea produttore

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
Contatto

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale in linea produttore

Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale
Contatto

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leggi di più
2024-12-06 17:41:10
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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