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comprare 6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si in linea fabbricante

6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si
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2024-12-06 17:38:23
comprare A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready in linea fabbricante

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
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2023-02-17 10:18:27
comprare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea fabbricante

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
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2022-10-08 17:12:14
comprare isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm in linea fabbricante

isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm
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2022-10-08 17:22:16
comprare laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED in linea fabbricante

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47
comprare lo specchio di 50mm Sapphire Wafer R9 ha lucidato il tipo pronto del bordo R del wafer di EPI in linea fabbricante

lo specchio di 50mm Sapphire Wafer R9 ha lucidato il tipo pronto del bordo R del wafer di EPI
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2023-02-17 10:17:17
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
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2024-10-29 11:49:58
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale in linea fabbricante

Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale
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2024-12-06 17:41:10
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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