Richiedere un preventivo |
Casa Prodottip type silicon substrate produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

p type silicon substrate produzione online

(81)
comprare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea fabbricante

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 10:57:06
comprare Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 in linea fabbricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 10:18:05
comprare M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um in linea fabbricante

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contatto

Leggi di più
2022-10-08 17:04:46
comprare Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato in linea fabbricante

Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 11:02:58
comprare Optoelettronica Lucidatura Wafer in cristallo di zaffiro tipo R in linea fabbricante

Optoelettronica Lucidatura Wafer in cristallo di zaffiro tipo R
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 11:22:48
comprare JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola in linea fabbricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola
Contatto

Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
comprare Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:57
comprare LED a substrato di arseniuro di gallio per comunicazioni ottiche in linea fabbricante

LED a substrato di arseniuro di gallio per comunicazioni ottiche
Contatto

Leggi di più
2022-10-09 09:53:08
comprare Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N in linea fabbricante

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:01:16
comprare 4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea fabbricante

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

Leggi di più
2022-09-27 17:35:24
Page 4 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon Qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.