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p type silicon substrate produzione online

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Acquistare Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ in linea produttore

Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ
Contatto

Thickness(μm) 279 2-Inch Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductors is seen as likely to ... Leggi di più
2022-09-27 16:51:27
Acquistare TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W in linea produttore

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W
Contatto

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare Tipo substrato d&#039;isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea produttore

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
Contatto

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leggi di più
2022-10-24 10:21:46
Acquistare Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED in linea produttore

Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED
Contatto

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leggi di più
2024-12-06 17:48:43
Acquistare Substrato SiC 350um 4H in linea produttore

Substrato SiC 350um 4H
Contatto

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Leggi di più
2022-10-09 16:57:57
Acquistare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN &lt; 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea produttore

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
Contatto

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:36
Acquistare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4&quot; fronte di si del grado di P in linea produttore

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:35
Acquistare Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si in linea produttore

Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si
Contatto

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leggi di più
2024-12-06 17:33:44
Acquistare 6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si in linea produttore

6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si
Contatto

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leggi di più
2024-12-06 17:38:23
Acquistare GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer in linea produttore

GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Contatto

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Leggi di più
2024-12-06 17:35:32
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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