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p type silicon substrate produzione online

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comprare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
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2022-10-09 10:12:00
comprare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
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2022-09-27 17:01:26
comprare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea fabbricante

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
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2022-09-27 17:01:05
comprare Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito in linea fabbricante

Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito
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2022-09-27 16:53:50
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
comprare 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
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2025-04-04 22:43:36
comprare Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> in linea fabbricante

Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40
comprare 2&quot; principale μm standard &lt;10 Capabilities&lt;5um massimo della lastra di silicio in linea fabbricante

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio
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2022-09-27 16:52:11
comprare Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ in linea fabbricante

Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ
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2022-09-27 16:51:27
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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