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p type silicon substrate produzione online

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Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leggi di più
2022-10-09 10:12:00
Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:26
Acquistare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea produttore

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:05
Acquistare Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito in linea produttore

Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito
Contatto

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon is the second most common ... Leggi di più
2022-09-27 16:53:50
Acquistare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea produttore

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
Acquistare 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm in linea produttore

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
Contatto

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea produttore

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
Contatto

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:36
Acquistare Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5&quot; orientamento &lt;1-0-0&gt;, &lt;1-1-1&gt;, &lt;1-1-0&gt; in linea produttore

Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Contatto

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Leggi di più
2022-09-27 16:53:40
Acquistare 350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm in linea produttore

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm
Contatto

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare 2&quot; principale μm standard &lt;10 Capabilities&lt;5um massimo della lastra di silicio in linea produttore

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio
Contatto

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Leggi di più
2022-09-27 16:52:11
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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