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semiconductor gallium arsenide wafer produzione online

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Composto a semiconduttore 2 pollici GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contatto

2022-09-27 17:18:19

substrati Undoped VGF S-C-N del wafer 2inch GaAs di si di 18mm GaAs
Contatto

2022-10-09 09:53:40

Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere
Contatto

2022-10-24 10:25:55

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
Contatto

2022-10-24 10:20:57

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:23:40

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

2022-10-24 10:21:10

Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza
Contatto

2024-07-31 15:01:27

GaN di tipo N da 2 ′′ a 6 pollici su wafer epitaxial zaffiro per dispositivo PIN laser a LED
Contatto

2024-07-31 15:01:27

JDCD10-001-002 Substrati GaAs da 2 pollici (100) drogati con Si
Contatto

2022-10-09 09:52:57

Aumentate la vostra produzione con la RTP-SA-8
Contatto

2024-09-30 15:35:40

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GaN Epitaxial Wafer

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GaAs Epi Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo