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GaN Epitaxial Wafer
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Wafer sic epitassiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrati diamantati CVD
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sic epitaxial wafer c face produzione online

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Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

2022-10-24 10:26:17

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

2022-10-24 10:21:10

Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Contatto

2023-02-17 17:14:50

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
Contatto

2022-10-08 16:41:01

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:22:34

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistività≥1E9Ω·Cm Per alimentazione e microonde
Contatto

2022-10-24 10:37:50

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GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

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Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo