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sic epitaxial wafer c face produzione online

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comprare Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D in linea fabbricante

Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D
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2024-10-29 11:49:58
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm in linea fabbricante

wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm
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2024-10-29 11:49:58
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprare il P-MOS sic epitassiale del wafer 4H classifica 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri in linea fabbricante

il P-MOS sic epitassiale del wafer 4H classifica 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri
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2022-10-24 10:21:58
comprare Gli SBD a 2 pollici di livello P P del wafer di P MOS Grade sic Epi classificano il grado 150.0mm di D in linea fabbricante

Gli SBD a 2 pollici di livello P P del wafer di P MOS Grade sic Epi classificano il grado 150.0mm di D
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2022-10-24 10:36:07
comprare Substrato SiC 350um 4H in linea fabbricante

Substrato SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57
comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
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2022-10-09 16:57:15
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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