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silicon carbide epitaxial wafers produzione online

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comprare CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo in linea fabbricante

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo
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2022-10-24 10:26:24
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
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2024-10-29 11:49:58
comprare 0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm in linea fabbricante

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm in linea fabbricante

wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm
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2024-10-29 11:49:58
comprare Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm in linea fabbricante

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H in linea fabbricante

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
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2022-10-24 10:20:57
comprare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea fabbricante

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34
comprare 4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm
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2024-10-29 11:49:58
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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