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silicon carbide epitaxial wafers produzione online

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comprare Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D in linea fabbricante

Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D
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2024-10-29 11:49:58
comprare Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde in linea fabbricante

Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
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2024-10-29 11:49:58
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
comprare Substrato SiC 350um 4H in linea fabbricante

Substrato SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57
comprare Spessore tampone AlGaN 600nm GaN LED blu da 2 pollici su wafer di silicio in linea fabbricante

Spessore tampone AlGaN 600nm GaN LED blu da 2 pollici su wafer di silicio
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2025-04-04 22:42:47
comprare Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere in linea fabbricante

Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere
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2022-10-24 10:25:55
comprare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea fabbricante

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
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2022-10-24 10:21:10
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea fabbricante

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
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2022-10-24 10:21:46
comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
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2022-10-09 16:57:15
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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