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silicon carbide crystal 4h produzione online

(28)

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm
Contatto

2023-02-17 15:17:12

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo
Contatto

2022-10-24 10:26:24

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
Contatto

2023-02-17 15:19:25

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

2022-10-24 10:21:10

Substrato SiC 350um 4H
Contatto

2022-10-09 16:57:57

wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm
Contatto

2023-02-17 15:10:26

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:23:40

Substrato SiC da 2 pollici di livello P per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Contatto

2023-02-17 15:30:04

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

2023-02-17 15:11:59

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

2022-10-09 16:56:20

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo