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silicon carbide crystal 4h produzione online

(28)

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
Contatto

2022-10-24 10:20:57

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistività≥1E9Ω·Cm Per alimentazione e microonde
Contatto

2022-10-24 10:37:50

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
Contatto

2022-09-29 15:53:31

Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D
Contatto

2023-02-17 17:47:57

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

2023-02-17 15:51:34

Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa
Contatto

2023-02-17 15:34:54

Sic tipo substrato di N
Contatto

2022-10-09 16:57:15

Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere
Contatto

2022-10-24 10:25:55

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo