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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | Wafer GaAs-Si | Tipo di comportamento: | S-C-N |
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| Drogante: | GaAs-Si | Angolo di orientamento: | 0° |
| DI Orientamento: | EJ[0-1-1]±0.5° | DI Lunghezza (mm): | 17±1 |
| Evidenziare: | Substrato semiconduttore SCN,GaAs-Si Wafer ISO,substrato semiconduttore 17mm |
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SCN conduce 2 pollici GaAs (100) substrati non drogati ad alta mobilità elettronica
Panoramica
Con lo sviluppo di mini-LED e micro-LED, i LED a luce rossa prodotti con substrati GaAs sono sempre più utilizzati per schermi di visualizzazione e in AR/VR.
GaAs è un materiale semiconduttore con eccellenti caratteristiche prestazionali tra cui band gap diretto, elevata mobilità degli elettroni, basso rumore ad alta frequenza ed elevata efficienza di conversione.
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Wafer GaAs-Si |
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Metodo di crescita |
VGF |
| Tipo di comportamento | SCN |
| Drogante | GaAs-Si |
| Orientamento | (100)15°±0.5° Off Verso<111>A |
| Angolo di orientamento | 0° |
| DI Orientamento | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DI Lunghezza (mm) | 17±1 |
| SE Orientamento | EJ[0-11]±0.5° |
| SE Lunghezza (mm) | 7±1 |
| Diametro (mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Resistività (ohm.cm) | N / A |
| Mobilità (cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Spessore (um) | 350±20 |
| TTV(ehm) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arco (ehm) | <15 |
| Deformazione(um) | <15 |
| Superficie | Lato 1: Lucido Lato 2: Inciso |
| Confezione | Cassetta o singolo |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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