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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | GaAs (100) substrati non drogati | Metodo di crescita: | VGF |
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| Tipo di comportamento: | S-C-N | Drogante: | GaAs-Si |
| DI Orientamento: | EJ[0-1-1]±0.5° | SE Orientamento: | EJ[0-11]±0.5° |
| Evidenziare: | Substrati Undoped di VGF,Substrati S-C-N di GaAs,Substrati Undoped di GaAs |
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100) substrati Undoped di 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° fuori da TowardA<111>
100) substrati Undoped di 2inch GaAs (
Panoramica
Il GaAs è un materiale a semiconduttore con le caratteristiche di prestazione eccellenti compreso l'intervallo di banda diretto, l'alta mobilità di elettrone, l'efficienza di conversione a basso rumore e ed alta ad alta frequenza.
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Wafer di GaAs-si |
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Metodo di crescita |
VGF |
| Tipo di comportamento | S-C-N |
| Dopant | GaAs-si |
| Orientamento | (100) 15°±0.5° fuori da TowardA<111> |
| Angolo di orientamento | 0° |
| Dell'orientamento | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| Della lunghezza (millimetri) | 17±1 |
| SE orientamento | EJ [0-11] ±0.5° |
| SE lunghezza (millimetri) | 7±1 |
| Diametro (millimetri) | 50.8±0.2 |
| Cc (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| Resistività (ohm.cm) | N/A |
| Mobilità (cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD (/cm2) | ≤5000 |
| Spessore (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10> |
| TTR (um) | <10> |
| Pieghi (um) | <15> |
| Deformi (um) | <15> |
| Superficie | Side1: Side2 lucidato: Inciso |
| Imballaggio | Cassetta o singolo |
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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