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Casa ProdottiWafer del nitruro di alluminio

Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

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Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

Grande immagine :  Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDWY01-001-003
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T
Contatto

Semi a 2 pollici che isolano l'aereo di AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

descrizione
Substrato: Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati) Nome di prodotto: Wafer del nitruro di alluminio
Spessore: [1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm Orientamento: Piano C (0001)±1o
Tipo di conduzione: Semi-isolamento Zona di esclusione del bordo: <2 mm
Evidenziare:

Sapphire Single Crystal Wafer

,

wafer lucidati dello zaffiro

,

Singolo aereo di Crystal Wafer C

C-aereo d'isolamento a 2 pollici di AIN On Sapphire Wafer (0001) ±1o

2,3) μm a 2 pollici AIN On Sapphire Wafer, SSP, XRD FWHM del film spesso ((002) del chip UV di disinfezione LED di ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Panoramica

Un uso importante di AlN-su-zaffiro è LED (UV) ultravioletto. Alcune delle applicazioni più potenti includono le stanze di ospedale ed i locali senza polvere d'irradiazione della fonderia, da AlN-su-zaffiro i LED disinfettano gli strumenti e possono purificare l'aria e l'acqua dei germi e dei batteri senza usando i prodotti chimici.

Specificazione

Oggetto AlN-T-C-U-C50
Dimensioni φ50.8 mm±0.1 millimetro, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1,0 millimetri
Substrato Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)
Spessore 1~5μm
Orientamento

C-aereo (0001) ±1o
Tipo di conduzione Semi-isolamento
Qualità cristallina Spessore XRD FWHM di (002) XRD FWHM di (102)
μm [di 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
μm [di 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
μm [di 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
μm [di 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zona di esclusione del bordo

<2mm>

Rugosità di superficie Ra<1>
Pacchetto Vuoto che imballa nell'ambiente della stanza pulita della classe A 10000, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer.

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Sapphire Aluminum Nitride Wa,

Iso del wafer del nitruro di alluminio,

wafer lucidati dello zaffiro

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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