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n type silicon epi wafer produzione online

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Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um
Contatto

2022-09-27 16:51:53

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm
Contatto

2022-09-27 16:54:31

Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm
Contatto

2023-02-17 17:52:26

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

2022-10-24 10:23:04

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
Contatto

2023-02-17 15:19:25

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato
Contatto

2023-02-17 17:53:35

LED a substrato di arseniuro di gallio per comunicazioni ottiche
Contatto

2022-10-09 09:53:08

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF
Contatto

2024-07-31 15:01:27

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GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

GaAs Epi Wafer

Substrati diamantati CVD

Sistema di ricottura termica rapida

Tester per sensori ad effetto Hall

Wafer del nitruro di alluminio

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Cristallo del carburo di silicio

Wafer Ga2O3

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Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um
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Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm
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Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo