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Casa ProdottiWafer del nitruro di alluminio

JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

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Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Grande immagine :  JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDWY01-001-006
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T
Contatto

JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

descrizione
Dimensioni: φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), faccia Al, bordo di posizionamento 16,0 ± 1,0 mm Substrato: Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)
Spessore: [1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm Zona di esclusione del bordo: <2 mm
Rugosità di superficie: Ra Nome di prodotto: Wafer del nitruro di alluminio
XRD FWHM di (002): ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec XRD FWHM di (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Evidenziare:

DSP AIN su wafer di zaffiro

Film spesso a 2 pollici (3,4) um AIN sul wafer dello zaffiro, DSP, XRD FWHM (002) di disinfezione UV di ≤120arcsec (102) ≤450arcsec, chip del LED

Il substrato di AlN è uno del substrato ceramico più popolare che ha la resistenza al calore eccellente, l'alta forza mechnical, la resistenza all'abrasione e piccola perdita dielettrica. La superficie del substrato di AlN è porosità abbastanza regolare e bassa. Il nitruro di alluminio ha più alta conducibilità termica, confrontata al substrato dell'allumina, è circa 7 - 8 volte alte. Il substrato di AlN è un materiale elettronico eccellente del pacchetto.

Oggetto AlN-T-C-U-C50
Dimensioni φ50.8 mm±0.1 millimetro, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1,0 millimetri
Substrato Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)
Spessore 1~5μm
Orientamento

C-aereo (0001) ±1o
Tipo di conduzione Semi-isolamento
Qualità cristallina Spessore XRD FWHM di (002) XRD FWHM di (102)
μm [di 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
μm [di 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
μm [di 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
μm [di 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zona di esclusione del bordo

<2mm>

Rugosità di superficie Ra<1>
Pacchetto Vuoto che imballa nell'ambiente della stanza pulita della classe A 10000, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer.

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Sapphire Aluminum Nitride Wa,

Iso del wafer del nitruro di alluminio,

wafer lucidati dello zaffiro

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

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