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Dettagli:
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| Diametro: | 4" | Orientamento: | <100>,<111> |
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| Tipo/dopant: | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb | Spessore (μm): | 300-725 |
| resistività: | 0.001-20000 Ohm-cm | Di superficie finito: | P/P, P/E |
| Particella: | <10> |
Wafer epitassiale SOI da 4 pollici per elaborazione MEMS
Panoramica
Sebbene i cristalli di silicio possano sembrare metallici, non sono interamente metalli.A causa degli "elettroni liberi" che si muovono facilmente tra gli atomi, i metalli sono buoni conduttori di elettricità e l'elettricità è il movimento degli elettroni.Un cristallo di silicio puro, invece, è quasi un isolante;permettendo a pochissima elettricità di attraversarlo.Tuttavia, questo può essere modificato attraverso un processo chiamato doping.
Specifica
| COSÌ IO | |||||
| Diametro | 4'' | 5'' | 6'' | 7'' | |
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Livello dispositivo |
Drogante | Boro, Phos, Arsenico, Antimonio, Non drogato | |||
| Orientamento | <100>,<111> | ||||
| Tipo | SIMOX, BESOI, Simbond, Taglio intelligente | ||||
| Resistività | 0,001-20000 Ohm-cm | ||||
| Spessore (um) | 0,2-150 | ||||
| L'uniformità | <5% | ||||
| Strato SCATOLA | Spessore (um) | 0,4-3 | |||
| Uniformità | <2,5% | ||||
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Substrato |
Orientamento | <100>, <111> | |||
| Tipo/Drogante | Tipo P/Boro, Tipo N/Fos, Tipo N/As, Tipo N/Sb | ||||
| Spessore (um) | 300-725 | ||||
| Resistività | 0,001-20000 Ohm-cm | ||||
| Superficie finita | P/P, P/E | ||||
| Particella | <10@.0.3um | ||||
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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