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Dettagli:
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| Orientamento: | <100>,<111> | Tipo/dopant: | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
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| Spessore (μm): | 300-725 | resistività: | 0.001-20000 Ohm-cm |
| Di superficie finito: | P/P, P/E | Particella: | <10> |
| Evidenziare: | MEMS Elaborazione del wafer epitassiale SOI |
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wafer epitassiale a 6 pollici di SOI per l'elaborazione di MEMS
Panoramica
Nell'elettronica, le lastre di silicio (anche conosciute come i substrati) sono fette sottili di silicio cristallino altamente puro (c-si), utilizzate nella produzione dell'integrato di - circuiti - un composto di parecchi componenti elettronici. Le lastre di silicio fanno una parte importante nell'industria a semiconduttore mentre trovano la loro applicazione in elettronica e dispositivi micromeccanici.
Specificazione
| SOI | |||||
| Diametro | 4' “ | 5' “ | 6' “ | 7' “ | |
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Strato del dispositivo |
Dopant | Boro, Phos, arsenico, antimonio, Undoped | |||
| Orientamento | <100>,<111> | ||||
| Tipo | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart tagliato | ||||
| Resistività | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Spessore (um) | 0.2-150 | ||||
| L'uniformità | <5> | ||||
| Strato della SCATOLA | Spessore (um) | 0.4-3 | |||
| Uniformità | <2> | ||||
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Substrato |
Orientamento | <100>, <111> | |||
| Tipo/dopant | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb | ||||
| Spessore (um) | 300-725 | ||||
| Resistività | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Di superficie finito | P/P, P/E | ||||
| Particella | <10> | ||||
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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