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Dettagli:
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Nome di prodotto: | GaAs (100) substrati non drogati | Metodo di crescita: | VGF |
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Tipo di comportamento: | S-C-N | Drogante: | GaAs-Si |
Angolo di orientamento: | 0° | DI Orientamento: | EJ[0-1-1]±0.5° |
Evidenziare: | Substrato di arseniuro di gallio ottico,comunicazioni ottiche Epi Wafer,substrato di arseniuro di gallio LED |
Substrati GaAs da 2 pollici (100) non drogati
Panoramica
L'arseniuro di gallio viene utilizzato nella produzione di diodi a emissione di luce (LED), che si trovano nelle comunicazioni ottiche e nei sistemi di controllo.L'arseniuro di gallio può sostituire il silicio nella produzione di circuiti integrati lineari e circuiti integrati digitali.I dispositivi lineari (chiamati anche analogici) includono oscillatori e amplificatori.I dispositivi digitali sono utilizzati per la commutazione elettronica e anche nei sistemi informatici.
Wafer GaAs-Si |
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Metodo di crescita |
VGF |
Tipo di comportamento | SCN |
Drogante | GaAs-Si |
Orientamento | (100)15°±0.5° Off Verso<111>A |
Angolo di orientamento | 0° |
DI Orientamento | EJ[0-1-1]±0.5° |
DI Lunghezza (mm) | 17±1 |
SE Orientamento | EJ[0-11]±0.5° |
SE Lunghezza (mm) | 7±1 |
Diametro (mm) | 50,8±0,2 |
CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
Resistività (ohm.cm) | N / A |
Mobilità (cm2/vs) | ≥1000 |
DEP(/cm2) | ≤5000 |
Spessore (um) | 350±20 |
TTV(ehm) | <10 |
TTR(um) | <10 |
Arco (ehm) | <15 |
Deformazione(um) | <15 |
Superficie | Lato 1: Lucido Lato 2: Inciso |
Confezione | Cassetta o singolo |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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