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Dettagli:
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| Diametro: | 12" | Grado: | Principale |
|---|---|---|---|
| Metodo di crescita: | La CZ | Orientamento: | <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0> |
| Spessore (μm): | 775 | resistività: | 0.001-100 ohm-cm |
| Di superficie finito: | P/E, P/P, E/E, G/G | Particella: | <10> |
| Evidenziare: | Lastra di silicio a 12 pollici,Wafer di si a semiconduttore del boro,Tipo lastra di silicio di P |
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Tipo della lastra di silicio/tipo del dopant P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
dispositivi a 2 pollici della lastra di silicio MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
Panoramica
Tutte le specie di innovazione tecnologica ha permesso allo sviluppo evolutivo degli apparecchi elettronici, che hanno aggiunto illimitato alle nostre vite e notevolmente hanno facilitato il progresso culturale.
Alcuni prodotti si sono trasformati in conseguente più piccoli ed altri più grandi; un certo accendino, qualche più forte, qualche più velocemente.
Specificazione
| lastra di silicio | |
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Diametro
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2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| Grado | Principale |
| Metodo di crescita | La CZ |
| Orientamento | <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0> |
| Tipo/dopant | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
| Spessore (μm) |
279/380/525/625/675/725/775 |
| Tolleranza di spessore | ± standard 25μm, ± massimo 5μm di Capabilit/SIC |
| Resistività | 0.001-100 ohm-cm |
| Di superficie finito | P/E, P/P, E/E, G/G |
| TTV (μm) | Norma <10> |
| Arco/filo di ordito | Norma <40> |
| Particella | <10> |
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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