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Dettagli:
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| FWHM: | <350arcsec> | Superficie lucidata: | Singolo lato lucidato |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 0.6~0.8mm | Nome di prodotto: | Singolo Crystal Substrate |
| Ra: | ≤0.3nm | Pacchetto: | Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, nell'ambito di un'atmosfera dell'azo |
| Evidenziare: | Wafer drogato Fe Ga2O3,substrato Ga2O3 a cristallo singolo,wafer drogato Fe 10x10mm2 |
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10x10 mm2(-201) Substrato monocristallino Ga2O3 autoportante drogato con Fe Qualità del prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3 nm Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e filtri UV
Ga2O3ha una lunga storia e gli equilibri di fase dell'Al2O3-Ga2O3-H2O è stato segnalato per la prima volta nel 1952 1 , in cui i polimorfi (cioè diverse forme o strutture cristalline) di Ga2O3e sono state identificate anche le loro regioni di stabilità.
Ci sono cinque polimorfi comunemente identificati di Ga2O3, etichettati come α, β, γ, δ e ε 2-10.Questi sono noti, rispettivamente, come corindone (α), monoclino (β), spinello difettoso (γ), ortorombico (ε), con la fase δ comunemente accettata come una forma della fase ortorombica.
| Substrato di nitruro di gallio--Livello del prodotto | ||
| Dimensioni | 10*15 mm | 10*10 mm |
| Spessore | 0,6~0,8 mm | |
| Orientamento | (201) | |
| Doping | Fe | SN |
| Superficie lucida | Singolo lato lucidato | |
| Resistività/Nd-Na | / | <9E18 |
| FWHM | <350 secondi d'arco | |
| RA | ≤0,3 nm | |
| Pacchetto | Confezionato in camera bianca di classe 100, in atmosfera di azoto | |
Chi siamo
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