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cz silicon wafer produzione online

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Dispositivi a 4 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-003 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
Contatto

2023-02-17 11:57:25

Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um
Contatto

2022-09-27 16:51:53

4" 5" 6" tipo del wafer P di si/tipo del boro N/come il tipo/Sb di N
Contatto

2022-09-27 16:54:01

JDCD06-001-004 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 5 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti
Contatto

2023-02-17 11:59:11

JDCD06-001-006 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 8 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti
Contatto

2023-02-17 12:00:49

Dispositivi a 12 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-007 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
Contatto

2023-02-17 12:01:45

Dispositivi a semiconduttore Wafer di substrato di silicio a 2 pollici 8'' 12''
Contatto

2022-09-27 16:53:03

Wafer a 8 pollici P/P P/E finito di superficie E/PER ESEMPIO /G del silicio
Contatto

2023-02-17 12:41:33

JDCD06-001-002 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 3 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti
Contatto

2023-02-17 11:53:04

dispositivi a 8 pollici a semiconduttore del wafer di 775um 725um 675um
Contatto

2022-09-27 16:50:19

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo