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comprare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea fabbricante

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
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2022-10-08 17:12:14
comprare Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm in linea fabbricante

Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm
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2025-04-27 11:43:51
comprare SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2 in linea fabbricante

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51
comprare 5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf in linea fabbricante

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf
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2024-10-29 11:49:57
comprare SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm in linea fabbricante

SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30
comprare 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer in linea fabbricante

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51
comprare Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um in linea fabbricante

Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um
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2022-10-08 17:14:45
comprare isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm in linea fabbricante

isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm
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2022-10-08 17:22:16
comprare Fronte GaN Substrate di C in linea fabbricante

Fronte GaN Substrate di C
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2022-10-09 17:03:25
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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