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comprare µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 in linea fabbricante

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2025-04-04 22:43:27
comprare aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15° in linea fabbricante

aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15°
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2025-04-04 22:43:30
comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
comprare Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in linea fabbricante

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
comprare GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino in linea fabbricante

GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino
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2024-12-06 17:45:14
comprare Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio in linea fabbricante

Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio
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2024-10-29 11:49:57
comprare Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um in linea fabbricante

Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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