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comprare µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 in linea fabbricante

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2022-10-25 15:04:09
comprare aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15° in linea fabbricante

aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15°
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2022-10-25 15:06:26
comprare Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio in linea fabbricante

Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio
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2023-03-22 16:44:02
comprare Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um in linea fabbricante

Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um
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2023-02-17 17:57:41
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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