Invia messaggio
Richiedere un preventivo |
Casa Prodottifree standing gan substrates produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(62)

Wafer sic epitassiale

(28)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

free standing gan substrates produzione online

(54)
comprare il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf in linea fabbricante

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:19:21
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm/laser W in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm/laser W
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:15:40
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo &lt; 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·cm
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:18:39
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:17:49
comprare 5*10mm2 SP-Face (11-12) Tipo N non drogato GaN autoportante Resistività del substrato a cristallo singolo in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face (11-12) Tipo N non drogato GaN autoportante Resistività del substrato a cristallo singolo
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 11:06:00
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:13:23
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN &lt; 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:17:24
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo &lt;0.1 Ω·dispositivo di potere di cm in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm
Contatto

Leggi di più
2022-10-25 15:18:12
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo &lt; 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 11:08:54
comprare 5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate &lt; 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
Contatto

Leggi di più
2023-02-17 11:10:47
Page 3 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.