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comprare Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato in linea fabbricante

Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato
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2023-02-17 11:02:58
comprare il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea fabbricante

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
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2025-04-04 22:43:38
comprare Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga &lt; 0,2 nm (lucidato) o &lt; 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia) in linea fabbricante

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)
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2025-04-04 22:42:49
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
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2025-04-04 22:43:36
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN &lt; 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
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2025-04-04 22:43:36
comprare 350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm in linea fabbricante

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf
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2025-04-04 22:43:31
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
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2025-04-04 22:43:33
comprare 5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N
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2025-04-27 11:43:51
comprare Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici &gt; 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF in linea fabbricante

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF
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2025-04-04 22:43:44
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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