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comprare Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia) in linea fabbricante

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)
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2022-10-08 16:58:42
comprare La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N in linea fabbricante

La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N
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2022-10-08 16:00:57
comprare 12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped in linea fabbricante

12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped
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2023-02-17 17:50:47
comprare Substrato di monocristallo di GaN in linea fabbricante

Substrato di monocristallo di GaN
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2023-02-17 17:55:56
comprare Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm in linea fabbricante

Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm
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2023-02-17 17:52:26
comprare JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura in linea fabbricante

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura
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2023-02-17 14:49:57
comprare JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3 in linea fabbricante

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3
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2022-10-09 10:30:00
comprare JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura in linea fabbricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura
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2022-10-09 10:29:17
comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2023-02-17 14:49:22
comprare Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in linea fabbricante

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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