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gan epitaxial wafer produzione online

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comprare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea fabbricante

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
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2022-10-08 17:12:14
comprare Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati
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2023-02-17 10:52:50
comprare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea fabbricante

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
comprare spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m. in linea fabbricante

spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.
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2024-11-18 19:17:19
comprare M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um in linea fabbricante

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
comprare Wafer epitassiale GaN non drogato in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN non drogato
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2022-10-09 17:04:59
comprare Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato
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2024-10-29 11:49:57
comprare GaN On Sapphire Wafer Si-verniciato N tipo a 4 pollici SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer in linea fabbricante

GaN On Sapphire Wafer Si-verniciato N tipo a 4 pollici SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:42:55
comprare laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED in linea fabbricante

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47
comprare LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale in linea fabbricante

LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale
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2024-12-06 17:37:25
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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