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gan epitaxial wafer produzione online

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comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI in linea fabbricante

Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI
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2022-10-08 15:51:24
comprare L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N in linea fabbricante

L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N
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2024-10-29 11:49:57
comprare 350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm in linea fabbricante

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare Fronte GaN Substrate di C in linea fabbricante

Fronte GaN Substrate di C
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2022-10-09 17:03:25
comprare Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti in linea fabbricante

Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti
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2025-04-04 22:43:28
comprare TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W in linea fabbricante

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W
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2025-04-27 11:43:51
comprare 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2 in linea fabbricante

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51
comprare 5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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