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gan epitaxial wafer produzione online

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comprare 5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprare 4 pollici di nitrito di gallio GaN dopato in linea fabbricante

4 pollici di nitrito di gallio GaN dopato
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2024-12-06 17:42:36
comprare 5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in linea fabbricante

5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N
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2025-04-27 11:43:51
comprare 10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato in linea fabbricante

10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato
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2025-04-27 11:43:50
comprare Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm in linea fabbricante

Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm
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2025-04-27 11:43:51
comprare SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um in linea fabbricante

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
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2022-10-08 16:41:01
comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
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2022-10-09 16:57:15
comprare Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED in linea fabbricante

Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED
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2022-09-27 16:24:09
comprare Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 in linea fabbricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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