Richiedere un preventivo |
Casa Prodottin type sic crystal produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

n type sic crystal produzione online

(26)
Acquistare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P in linea produttore

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:35
Acquistare Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF in linea produttore

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF
Contatto

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:44
Acquistare il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI in linea produttore

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
Contatto

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Leggi di più
2024-10-14 17:06:30
Acquistare Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea produttore

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
Contatto

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leggi di più
2022-10-24 10:21:46
Acquistare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea produttore

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contatto

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Leggi di più
2022-10-08 17:19:48
Acquistare SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um in linea produttore

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
Contatto

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Leggi di più
2022-10-08 16:41:01
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon Qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.