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n type sic crystal produzione online

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comprare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P in linea fabbricante

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
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2022-09-27 17:01:35
comprare Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF in linea fabbricante

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF
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2025-04-04 22:43:44
comprare il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI in linea fabbricante

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
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2024-10-14 17:06:30
comprare Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea fabbricante

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
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2022-10-24 10:21:46
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um in linea fabbricante

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
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2022-10-08 16:41:01
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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