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n type sic crystal produzione online

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Acquistare Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N in linea produttore

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:16
Acquistare wafer sic epitassiale 6inch in linea produttore

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Leggi di più
2022-10-09 16:56:20
Acquistare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea produttore

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Sic cristallo 4&quot; del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D in linea produttore

Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D
Contatto

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:20
Acquistare 4&quot; resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea produttore

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leggi di più
2022-09-27 17:35:24
Acquistare Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm in linea produttore

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contatto

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Leggi di più
2025-04-04 22:43:25
Acquistare cristallo 4&quot; del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:26
Acquistare JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6&quot; Grado P in linea produttore

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
Contatto

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Leggi di più
2025-04-04 22:42:33
Acquistare Cristallo piano primario 4&quot; del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea produttore

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:05
Acquistare cristallo 4&quot; del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leggi di più
2022-10-09 10:12:00
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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