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n type sic crystal produzione online

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comprare Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D in linea fabbricante

Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D
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2025-04-04 22:43:20
comprare 4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea fabbricante

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24
comprare JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P in linea fabbricante

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
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2025-04-04 22:42:33
comprare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
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2022-09-27 17:01:26
comprare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea fabbricante

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
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2022-09-27 17:01:05
comprare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
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2022-10-09 10:12:00
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
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2024-10-29 11:49:58
comprare Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa in linea fabbricante

Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa
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2024-10-29 11:49:58
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare 150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm in linea fabbricante

150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm
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2022-10-24 10:22:12
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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