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n type sic crystal produzione online

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Acquistare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea produttore

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
Acquistare Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario in linea produttore

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ... Leggi di più
2022-10-24 10:26:17
Acquistare 150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm in linea produttore

150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate D-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·cm for power and microwave devices Overview Sized for improved production With the 150 mm wafer size, we offer manufacturers the ... Leggi di più
2022-10-24 10:22:12
Acquistare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea produttore

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
Contatto

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Sic tipo substrato di N in linea produttore

Sic tipo substrato di N
Contatto

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Leggi di più
2022-10-09 16:57:15
Acquistare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea produttore

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Leggi di più
2022-10-24 10:21:10
Acquistare Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa in linea produttore

Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa
Contatto

P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare 0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm in linea produttore

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Substrato SiC 350um 4H in linea produttore

Substrato SiC 350um 4H
Contatto

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Leggi di più
2022-10-09 16:57:57
Acquistare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea produttore

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leggi di più
2022-10-24 10:22:34
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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